Запуск Глобального науково-дослідного центру TSMC

Сьогодні відбулося урочисте відкриття Глобального науково-дослідного центру TSMC, на який запросили Морріса Чанга, засновника заходу TSMC вперше після виходу на пенсію.Під час свого виступу він висловив особливу вдячність науково-дослідному персоналу TSMC за їхні зусилля, завдяки яким технологія TSMC стала лідером і навіть стала глобальним полем битви.

З офіційного прес-релізу TSMC стало відомо, що науково-дослідний центр стане новим домом для дослідницьких установ TSMC, включаючи дослідників, які розробляють передову технологію TSMC 2 нм і вище, а також учених і вчених, які проводять пошукові дослідження в нові матеріали, транзисторні структури та інші галузі.Оскільки науково-дослідний персонал переїхав на робоче місце нової будівлі, компанія буде повністю готова до роботи понад 7000 співробітників до вересня 2023 року.
Центр досліджень і розробок TSMC займає загальну площу 300 000 квадратних метрів і має приблизно 42 стандартних футбольних поля.Він спроектований як зелена будівля з рослинними стінами, басейнами для збору дощової води, вікнами, які максимізують використання природного світла, і сонячними батареями на даху, які можуть генерувати 287 кіловат електроенергії в умовах піку, що демонструє прихильність TSMC до сталого розвитку.
Голова TSMC Лю Дейін заявив на церемонії запуску, що входження в науково-дослідний центр зараз дозволить активно розвивати технології, які є лідерами світової напівпровідникової промисловості, досліджуючи технології до 2 нанометрів або навіть 1,4 нанометрів.Він зазначив, що науково-дослідний центр почав планувати більше 5 років тому, маючи багато розумних ідей у ​​дизайні та будівництві, включаючи надвисокі дахи та пластикові робочі місця.
Лю Дейін підкреслив, що найважливішим аспектом центру досліджень і розробок є не чудові будівлі, а традиції досліджень і розробок TSMC.Він заявив, що команда дослідників і розробників розробила технологію 90 нм, коли вони зайшли на завод Wafer 12 у 2003 році, а потім увійшли в центр досліджень і розробок, щоб розробити технологію 2 нм через 20 років, що становить 1/45 від 90 нм, тобто їм потрібно залишатися в центрі досліджень і розробок. не менше 20 років.
Лю Дейін сказав, що співробітники науково-дослідного центру дослідницького центру дадуть відповіді на питання про розмір напівпровідникових компонентів через 20 років, які матеріали використовувати, як об’єднати світло та електрогенну кислоту, як поділитися квантовими цифровими операціями, а також дізнаються. методи масового виробництва.